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三星第一次公然2nm:2025年量产

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【摘要】 在代工市场上,唯一可以和台积电抗衡的,就是三星了 ( Intel 高调杀入但还需进一步观察 ) ,双方在先进工艺进展上也是互不相让,7nm、5nm、3nm、2nm 你追我赶。 在......

在代工市场上,唯一可以和台积电抗衡的,就是三星了 ( Intel 高调杀入但还需进一步观察 ) ,双方在先进工艺进展上也是互不相让,7nm、5nm、3nm、2nm 你追我赶。

在最新举办的三星代工论坛 2021 大会上,三星就披露了最新的工艺进展和路线图。

FinFET 晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽,三星的下一步是 GAA 环绕栅极,3nm 工艺上分为两个版本,其中 3GAE ( 低功耗版 ) 将在 2022 年年初投入量产,3GAP ( 高性能版 ) 则会在 2023 年年初批量生产。

对比 5nm,三星新的 3nm GAA 可以让面积缩小 35%,同功耗下性能提高 30%,同性能下功耗降低 50%。

2nm 工艺没有出现在公开路线图上,但是三星代工市场策略高级副总裁 MoonSoo Kang 透露,2GAP 工艺会在 2025 年量产。

这是三星第一次透露 2nm 工艺的规划,但三星也警告说,新工艺进度还要看客户的规划和部署,所以我们推测,2026 年可能是见到三星 2nm 工艺产品上市的更合理时间。

台积电方面的 2nm 工艺有望在 2024 年量产,领先三星一年左右。

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